專業(yè)訂制化服務(wù)
訂制各種規(guī)格的石英晶振片
專業(yè)訂制化服務(wù)
晶圓減薄
晶圓片總厚度約625μm-775μm，薄膜電路層的有效厚度約20-30μm，因此，至少90%的襯底在芯片封裝時是冗余的或有缺陷的。實施晶圓背面減薄，不僅能有效改善劃片封裝環(huán)節(jié)的效率和良率，更為重要的是能顯著降低芯片的熱阻，大幅提升芯片的機械性能和電氣性能。
晶圓背金
大部分的器件，F(xiàn)ab廠進行正面電路器件植入后，晶圓將依需要進行背面研磨減薄、酸堿法蝕刻，然后在背面蒸鍍金屬膜層。處理后的芯片器件熱阻、工作散熱和冷卻、封裝操作等實現(xiàn)很大的改善。
采用電子束和熱阻蒸發(fā)，提供真空蒸鍍金屬、合金薄膜服務(wù)。
金屬單質(zhì)：鈦、鎳、銀、金、鉻、鋁、鉑金、釩等。
合金材料：錫銅、錫銻、金鍺、金砷等。
依據(jù)器件的應(yīng)用場景要求，以及客戶的設(shè)計工藝要求，可以提供不同厚度膜系的真空積淀服務(wù)。單層膜系
如：Au、Ag。單層膜系
如：Au、Ag。雙層膜系
如：錫-金等。三層膜系
如：鈦-鎳-銀。四層膜系
如：鈦-鎳-錫-銀。多層膜系（共晶）。
專門的可靠性試驗，牢牢控制薄膜附著力指標(biāo)，確保合符質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)要求！
晶圓切割
通常在一張晶圓片上有成千上萬顆晶粒（ die），他們由劃片街區(qū)連接在一起。一般采用高速旋轉(zhuǎn)的金剛石切割刀片，將每一個具有獨立電氣性能的晶粒分離出來，他是芯片后續(xù)封裝的準(zhǔn)備。良好的設(shè)備性能和切割技術(shù)是減少晶粒崩邊、分層和剝離的要件，也是芯片信賴性的基礎(chǔ)保障。
背減劃一站式服務(wù)
提供晶圓背面減薄、背面金屬化、切割劃片一體化服務(wù)，一站式服務(wù)。為您降低產(chǎn)品過程流轉(zhuǎn)風(fēng)險，節(jié)省外協(xié)作業(yè)時間
快速、可靠、省時、省力。
?晶圓背面研磨+拋光
?晶圓背面研磨+切割劃片
?晶圓背面研磨+背面金屬化+切割劃片
?晶圓背面金屬化+切割劃片
